除了人造鉆石，高阻硅是威力晶體材料適合極寬范圍從(1.2 μm) 到mm (1000 μm)波。和鉆石相比，它要便宜的多，并且生長制造更容易。而且他尺寸更大，更容易制造，THZ技術的快速發展，就基于該優點。對于THZ應用，我們提供在1000 μm (對于更長波長，3000甚至8000微米)透過率達到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。

Fig.1 Transmission and reflection of HRFZ-Si 5.0 mm-thick sample in THz range.

HRFZ-Si 在THZ波段傳輸損耗低。如圖2所示，HRFZ-Si 中的THZ波形和空氣中的波形非常相似。這表明HRFZ-Si 的吸收很少。

Fig.2 The THz signals transmitted through air and HRFZ-Si.(*)

合成電解質硅的介電常數由傳導率決定（例如：自由電子-載流子濃度）。圖3顯示的是在1THZ下，不同純度下的硅的介電常數.低摻雜的介電常數接近真實值，大約等于高頻介電常數。隨著摻雜濃度的提高，真實的介電常數將變成負數，而且不能被忽略。介電常數表征的是THZ波的傳輸損耗特性。損耗系數可以用下面的公式計算：tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數（8.85*10-12 F/m）。ε0 –硅的介電常數(11.67), R是電阻值。例如，1THZ下，10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數為1.54*10-5。

Fig.3 Real (solid, ε1) and imaginary (dashed, ε2) part of dielectric permittivity of n-type silicon with different impurity concentration at 1 THz.(**)